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一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；栅极结构，位于所述基底的顶部；源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的基底中；源漏互连线，位于所述源漏掺杂层的顶部，且所述源漏互连线与所述源漏掺杂层电连接；栅极互连线，位于所述栅极结构侧部的基底顶部，且...
该专利属于中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司授权不得商用。

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