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本发明公开了一种具有电荷倍增二极管(2)的二极管辐射传感器(1)的制造方法，该方法包括以下步骤：提供由半导体材料制成的基底(3)，该基底具有前表面(4)和后表面(4b)；在该前表面(4)附近制作掺杂有第一预定量的第一类型掺杂剂的半导体材料的...
该专利属于布鲁诺·凯斯勒基金会所有，仅供学习研究参考，未经过布鲁诺·凯斯勒基金会授权不得商用。

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