用于制造二极管辐射传感器的方法技术

本发明专利技术公开了一种具有电荷倍增二极管(2)的二极管辐射传感器(1)的制造方法，该方法包括以下步骤：提供由半导体材料制成的基底(3)，该基底具有前表面(4)和后表面(4b)；在该前表面(4)附近制作掺杂有第一预定量的第一类型掺杂剂的半导体材料的第一层(5)；在该基底(3)的深处制作掺杂有第二预定量的第二类型掺杂剂的半导体材料的第二层(8)，该第二类型的掺杂剂与该第一类型是电相反的。该第二层(8)通过将第一预定量的第一类型掺杂剂和第二预定量的第二类型掺杂剂插入到该基底(3)中来获得。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术可应用于二极管传感器的领域，并且具体地应用于辐射传感器的领域。更详细地，本专利技术特别地但不排他地应用于具有一个或多个二极管的二极管辐射传感器的领域，该一个或多个二极管具有被供电以便以线性倍增机制工作的电荷倍增结构。

技术介绍

1、从工业到科学的各种应用中，都会使用到辐射传感器。在许多情况下，检测器被构造在半导体材料(例如硅)的单个主体上，被分成若干微单元或通道(也称为像素和/或微条带)，每个微单元或通道通常包括一可独立存取的二极管。

2、电离辐射检测器的典型示例由典型厚度为几百μm的硅微条带组成。这种设备用于在科学实验中检测电离辐射(诸如带电颗粒或x射线)并且用于工业应用。

3、检测器的有效区域被分成若干平行条带，其宽度通常在25μm和几百微米之间。

4、作为第一近似(first approximation)，上述传感器不具有内部增益，因此有限制，即电离辐射创建的电荷量太低时，传感器不能准确地进行测量。

5、为了改进性能，因此决定了在二极管内引入电荷倍增结构，其允许二极管在被适当地偏振时以线性电荷本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造二极管辐射传感器(1)的方法，所述二极管辐射传感器(1)具有至少一个电荷倍增二极管(2)，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一类型掺杂剂是n型掺杂剂，所述第二类型掺杂剂是p型掺杂剂。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一类型掺杂剂是磷，所述第二类型掺杂剂是硼。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一类型掺杂剂是p型掺杂剂，所述第二类型掺杂剂是n型掺杂剂。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一类型掺杂剂是硼，所述第二类型掺杂剂是磷。</p>

6.根据...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种制造二极管辐射传感器(1)的方法，所述二极管辐射传感器(1)具有至少一个电荷倍增二极管(2)，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一类型掺杂剂是n型掺杂剂，所述第二类型掺杂剂是p型掺杂剂。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一类型掺杂剂是磷，所述第二类型掺杂剂是硼。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一类型掺杂剂是p型掺杂剂，所述第二类型掺杂剂是n型掺杂剂。

5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾科莫·博尔吉，乔瓦尼·帕特诺斯特，毛里齐奥·博斯卡丁，尼可洛·卡蒂利亚，瓦伦蒂娜·索拉，
申请(专利权)人：布鲁诺·凯斯勒基金会，
类型：发明
国别省市：