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本发明提供一种降低器件寄生电容的外延层沟槽形貌优化方法，将器件中的外延层沟槽设计为弓形形貌；改变弓形形貌的设计参数，以获得多个不同的弓形形貌；分别获取各具有不同弓形形貌外延层沟槽的器件的有效电容；获取各有效电容中对应较低值的弓形形貌为较优形...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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