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本发明涉及HEMT器件技术领域，公开了一种增强型HEMT器件及其制备方法，HEMT器件包括硅衬底，硅衬底上从下往上依次设有成核层、缓冲层、C‑GaN层、沟道层、势垒层、AlN层、AlGaN层、UID‑GaN层和P‑GaN层，P‑GaN层的顶...
该专利属于福州镓谷半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福州镓谷半导体有限公司授权不得商用。

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