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本发明提供一种存储器件的制造方法及存储器件，所述存储器件的制造方法，至少包括以下步骤：提供一衬底；在衬底上形成底部堆叠结构；蚀刻底部堆叠结构，形成第一沟道孔，第一沟道孔底部的径向尺寸为第一间距，第一沟道孔顶部的径向尺寸为第二间距，第一间距小...
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