【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造领域，特别涉及一种存储器件的制造方法及存储器件。
技术介绍
1、在三维存储器件中，为增大存储器件的容量，会使用堆叠的存储层以对存储器件进行扩容。但是当堆叠的存储层过高时，会到时蚀刻的深宽比增大，使得形成的沟道孔的顶部和底部直径偏差过大，影响存储器件的稳定性。故采用串堆叠的方式减小单次蚀刻的深度。
2、但当在一个堆叠结构上形成另一个堆叠结构时，在两个堆叠结构连接处，下面一个堆叠结构中的沟道孔和上面一个堆叠结构的沟道孔之间的径向尺寸的偏差会形成一个拐角，导致堆叠结构连接处的存储层中沉积电荷不均匀，使得闪存受到读干扰的影响，进而影响存储器件的品质。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种存储器件的制造方法及存储器件，可解决在串堆叠过程中，堆叠结构连接处的存储层中沉积电荷不均匀的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种存储器件，至少包括：
3、提供一衬底；
4、在所述衬底上形成底部堆叠结构；
5、蚀...
【技术保护点】
1.一种存储器件的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种存储器件的制造方法，其特征在于，所述存储器件的制造方法还包括以下步骤：在所述衬底上形成外延层，且所述第一沟道孔暴露所述外延层。
3.根据权利要求1所述的一种存储器件的制造方法，其特征在于，在形成所述上层堆叠结构前，所述存储器件的制造方法还包括以下步骤：在所述第一沟道孔中形成阻挡结构。
4.根据权利要求3所述的一种存储器件的制造方法，其特征在于，在形成所述第二沟道孔后，所述存储器件的制造方法还包括以下步骤：移除所述第一沟道孔中的所述阻挡结构。>
5.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种存储器件的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种存储器件的制造方法，其特征在于，所述存储器件的制造方法还包括以下步骤：在所述衬底上形成外延层，且所述第一沟道孔暴露所述外延层。
3.根据权利要求1所述的一种存储器件的制造方法，其特征在于，在形成所述上层堆叠结构前，所述存储器件的制造方法还包括以下步骤：在所述第一沟道孔中形成阻挡结构。
4.根据权利要求3所述的一种存储器件的制造方法，其特征在于，在形成所述第二沟道孔后，所述存储器件的制造方法还包括以下步骤：移除所述第一沟道孔中的所述阻挡结构。
5.根据权利要求1所述的一种存储器件的制造方法，其特征在于，所述第二沟道孔底部的径向尺寸由第一间距增大至第三间距的方法包...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈文涛，许建强，苏忠益，
申请(专利权)人：合肥康芯威存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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