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本发明公开一种用于电容器电极材料的掺杂锡多孔氧化钴及生产方法，是将少量的锡掺杂在钴‑MOF的晶格中，通过高温处理，得到元素锡掺杂的多孔氧化钴材料，利用多种元素之间的协同作用提高导电性。元素锡的掺杂可以改变材料微观结构，局部形成异质结结构以及...
该专利属于辽宁师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过辽宁师范大学授权不得商用。

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