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本发明提出一种采用高带隙半导体材料的三维只读存储器（３Ｄ－ＲＯＭ）。其３Ｄ－ＲＯＭ膜含有高带隙半导体材料，从而缩短３Ｄ－ＲＯＭ的高温性能。...
该专利属于张国飙所有，仅供学习研究参考，未经过张国飙授权不得商用。

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