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本发明提供一种用于复杂单端硅通孔的阻抗优化的方法、系统、设备及介质，包括：对目标TSV回路进行准静态三维电磁仿真，得到TSV结构的总回路电感和总电容；构建TSV两端连接的传输线剖面模型，得到TSV两端传输线的单位长度电容与单位长度电感；基于...
该专利属于西安微电子技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过西安微电子技术研究所授权不得商用。

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