用于复杂单端硅通孔的阻抗优化的方法、系统、设备及介质技术方案

本发明专利技术提供一种用于复杂单端硅通孔的阻抗优化的方法、系统、设备及介质，包括：对目标TSV回路进行准静态三维电磁仿真，得到TSV结构的总回路电感和总电容；构建TSV两端连接的传输线剖面模型，得到TSV两端传输线的单位长度电容与单位长度电感；基于所述TSV结构的总回路电感和总电容，以及所述TSV两端传输线的单位长度电容与单位长度电感，得到中间TSV部分的回路电感和电容，并基于中间TSV部分的回路电感和电容计算得到目标TSV回路的特征阻抗；比较所述目标TSV回路的特征阻抗与目标特征阻抗，并对现有结构进行阻抗匹配优化，得到优化后的新结构；本申请可大幅度缩减2.5D和3D封装产品中复杂单端TSV的优化设计时间，提高产品设计效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于先进封装，具体属于一种用于复杂单端硅通孔的阻抗优化的方法、系统、设备及介质。

技术介绍

1、随着先进封装领域中异构集成技术的飞速发展，基于硅通孔(tsv)的2.5d/3d系统封装已经成为在后摩尔时代延续摩尔定律的重要解决途径，tsv使芯片间通信实现更短的信号传输时延、更低的功耗、以及更小的封装尺寸。

2、但是，tsv的存在使得先进封装的信号完整性设计变得更加复杂，tsv与传输线形成的过渡区域存在阻抗不连续区域，大大增加了阻抗匹配设计的难度；在现有的相关技术中，缺少一种能够准确分析并优化复杂单端硅通孔的方法。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种用于复杂单端硅通孔的阻抗优化的方法、系统、设备及介质，用以解决现有相关技术中无法准确分析并优化复杂单端硅通孔的技术问题。

2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：

3、一种用于复杂单端硅通孔的阻抗优化的方法，包括以下步骤：

4、对目标tsv回路进行准静态三维电磁仿真，得到本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于复杂单端硅通孔的阻抗优化的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种用于复杂单端硅通孔的阻抗优化的方法，其特征在于，所述对目标TSV回路进行准静态三维电磁仿真，得到TSV结构的总回路电感和总电容，包括：

3.根据权利要求1所述的一种用于复杂单端硅通孔的阻抗优化的方法，其特征在于，所述构建TSV两端连接的传输线剖面模型，得到TSV两端传输线的单位长度电容与单位长度电感，包括：

4.根据权利要求1所述的一种用于复杂单端硅通孔的阻抗优化的方法，其特征在于，所述基于所述TSV结构的总回路电感和总电容，以及所述TSV两端传输线的单...

【技术特征摘要】

1.一种用于复杂单端硅通孔的阻抗优化的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种用于复杂单端硅通孔的阻抗优化的方法，其特征在于，所述对目标tsv回路进行准静态三维电磁仿真，得到tsv结构的总回路电感和总电容，包括：

3.根据权利要求1所述的一种用于复杂单端硅通孔的阻抗优化的方法，其特征在于，所述构建tsv两端连接的传输线剖面模型，得到tsv两端传输线的单位长度电容与单位长度电感，包括：

4.根据权利要求1所述的一种用于复杂单端硅通孔的阻抗优化的方法，其特征在于，所述基于所述tsv结构的总回路电感和总电容，以及所述tsv两端传输线的单位长度电容与单位长度电感，得到中间tsv部分的回路电感和电容，包括：

5.根据权利要求1所述的一种用于复杂单端硅通孔的阻抗优化的方法，其特征在于，所述基于中间tsv部分的回路电感和电容计算得到目标tsv回路的特征阻抗，所述特征阻抗为：

6.根据权利要求1所述的一种用于复杂单端硅通孔的阻抗优化的方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李康荣，杨巧，徐东华，史志军，王艳玲，牛灏瑀，李鸿鹏，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：