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本发明基于空心硅纳米线结构氢气传感器制备方法，操作简单，成本低，选用双层悬空纳米结构纳米材料，先采用蚀刻溶液形成单层纳米结构纳米材料，再采用金属辅助化学蚀刻工艺，形成空心纳米线结构，从而进一步制备具有高比表面积的基于空心硅纳米线结构氢气传感...
该专利属于西南交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南交通大学授权不得商用。

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