【技术实现步骤摘要】
【】本专利技术属于氢气传感器，具体尤其涉及基于空心硅纳米线结构氢气传感器制备方法及氢气传感器。
技术介绍
0、
技术介绍
1、氢气传感器是一种用于检测氢气浓度的器件，常见的工作原理有：基于如氧化锌、氧化钛等金属氧化物或如钨氧化物等金属半导体的敏感材料与氢气的吸附效应，或基于钯或钯合金的纳米结构与氢气的吸附反应，引起电阻率或其他电学性质变化，从而实现氢气浓度的检测。基于纳米结构的氢气传感器，其纳米结构材料的高表面积与体积比是影响氢气传感器性能的关键因素，常见的制备方法有自组装法、溶剂热法和物理/化学气相沉积法。
2、但这些方法在制备基于高比表面积纳米线氢气传感器方面存在困难，从而影响了氢气传感器的性能，如：自组装法难以精确控制纳米线的尺寸与形态；溶剂热法需要精确控制溶剂的化学组成和如温度等反应条件才能获得所需的纳米线；物理气相沉积法需要复杂的工艺控制才可能实现纳米线的特定取向与排列；而化学气相沉积法需要精确控制气体的流量与反应条件，且难以保持纳米线的性能。
技术实现思路
...【技术保护点】
1.基于空心硅纳米线结构氢气传感器制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述基于空心硅纳米线结构氢气传感器制备方法，其特征在于：步骤S1所述金属颗粒的直径小于所述金属孔的直径。
3.根据权利要求2所述基于空心硅纳米线结构氢气传感器制备方法，其特征在于：步骤S2所述空心纳米线的厚度为所述金属孔的直径与所述金属颗粒的直径之差。
4.根据权利要求1所述基于空心硅纳米线结构氢气传感器制备方法，其特征在于：步骤S1所述金属孔层与所述金属颗粒层的材料为同种金属材料。
5.根据权利要求1所述基于空心硅纳米线结构氢气传...
【技术特征摘要】
1.基于空心硅纳米线结构氢气传感器制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述基于空心硅纳米线结构氢气传感器制备方法，其特征在于：步骤s1所述金属颗粒的直径小于所述金属孔的直径。
3.根据权利要求2所述基于空心硅纳米线结构氢气传感器制备方法，其特征在于：步骤s2所述空心纳米线的厚度为所述金属孔的直径与所述金属颗粒的直径之差。
4.根据权利要求1所述基于空心硅纳米线结构氢气传感器制备方法，其特征在于：步骤s1所述金属孔层与所述金属颗粒层的材料为同种金属材料。
5.根据权利要求1所述基于空心硅纳米线结构氢气传感器制备方法，其特征在于：步骤s1所述衬底材料为单晶硅材料。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵志俊，徐先武，汪红波，余丙军，钱林茂，
申请(专利权)人：西南交通大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。