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本发明主要应用于碳化硅晶体生长结束后再处理领域，具体来说是通过密封性良好、温度梯度小（晶体处温度梯度１－２０℃／ｃｍ）的退火炉，在压力１万帕以上的惰性气体下用１０－５０小时升到退火温度，退火温度在２１００－２５００℃，恒温１０－４０小时后再...该专利属于新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所授权不得商用。