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一种用于形成半导体器件的图案的方法包括在晶片的密集图案区域中设置要被转印的密集图案。在密集图案外的区域中插入用于限制密集图案的图案变形的第一虚设图案。在第一虚设图案内的区域中插入用于限制第一虚设图案的图案变形的第一辅助特征。在第一虚设图案外...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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