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本发明公开了一种基于选区蒸镀扩散的R‑T‑B磁体及其制备方法，在预扩散基体的扩散表面上划分蒸镀区（边角区域）和非蒸镀区（非边角区域），制备板状蒸镀扩散源，划分至少一个边角区和一个镂空区，预扩散基体的蒸镀区和非蒸镀区分别与板状蒸镀扩散源的边角...
该专利属于浙江英洛华磁业有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江英洛华磁业有限公司授权不得商用。

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