一种基于选区蒸镀扩散的R-T -B磁体及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于选区蒸镀扩散的R‑T‑B磁体及其制备方法，在预扩散基体的扩散表面上划分蒸镀区（边角区域）和非蒸镀区（非边角区域），制备板状蒸镀扩散源，划分至少一个边角区和一个镂空区，预扩散基体的蒸镀区和非蒸镀区分别与板状蒸镀扩散源的边角区和镂空区对应放置，利用真空蒸镀原理对磁体边角区域进行蒸镀扩散。所得磁体存在至少一个表面A和相邻的侧面B，表面A的边角区域的平均重稀土含量是侧面B的1.3倍以上、表面A的边角区域的平均重稀土含量是表面A的非边角区域的1.8倍以上。本发明专利技术采用选区蒸镀扩散的方法对磁体边角区域同时进行蒸镀和扩散，减少了重稀土扩散源的用量，并且在提高矫顽力的同时，降低扩散后磁体的Br的减少量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于稀土永磁材料，具体涉及一种基于选区蒸镀扩散的r-t -b磁体及其制备方法。

技术介绍

1、稀土钕铁硼磁性材料具备有小体积、高磁能积等优点，常用于3c消费电子产品、新能源汽车电机、风力发电等领域。然而常规工艺制备出来的钕铁硼磁体性能并不能满足高尖端领域的需求，且常规磁体在高温的工作环境下，磁体的br和hcj急剧下降，不能支持汽车、风力发电设备等电机的高负荷运行，因此，高剩磁、高矫顽力钕铁硼磁体成为了新的研发生产方向。

2、晶界扩散工艺作为一种21世纪的突破性技术，其备受磁材行业的青睐。晶界扩散工艺是先通过真空溅射、丝网印刷、涂覆、真空蒸镀和电沉积等技术将扩散源覆盖在扩散磁体基体表面上，使磁体表面形成一层重稀土扩散源薄膜，再经过一定时间的高温处理后，重稀土元素原子以晶界扩散和体扩散的方式进入磁体内部，从而使主相晶粒形成一层具有高各向异性场的重稀土壳层。

3、晶界扩散工艺可实现高剩磁、高矫顽力磁体的制备，经过扩散工艺处理的磁体，其主要性能变化在于hcj的大幅度提高而br降低很少，因此扩散后的磁体仍具有高磁能积。但是，在常规晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1. 一种基于选区蒸镀扩散的R-T -B磁体，其特征在于所述磁体包括以下质量百分的成分：

2.如权利要求1所述的磁体，其特征在于表面A和侧面B相邻且相互垂直，所述表面A为磁体的扩散表面，是具有采用蒸镀方式制备重稀土薄膜的磁体表面；所述表面A由边角区域和非边角区域两部分构成，边角区域是指表面A距磁体边线0~Hmm宽度范围内的表面区域，H的范围为2~5，非边角区域是指距边线Hmm宽度范围以外的表面区域。

3.如权利要求2所述的磁体，其特征在于所述磁体在距表面A垂直距离为0.1~0.3mm的深度处，同一深度层的边角区域的平均重稀土含量标记为Q1、非边角区域的平均重稀土含...

【技术特征摘要】

1. 一种基于选区蒸镀扩散的r-t -b磁体，其特征在于所述磁体包括以下质量百分的成分：

2.如权利要求1所述的磁体，其特征在于表面a和侧面b相邻且相互垂直，所述表面a为磁体的扩散表面，是具有采用蒸镀方式制备重稀土薄膜的磁体表面；所述表面a由边角区域和非边角区域两部分构成，边角区域是指表面a距磁体边线0~hmm宽度范围内的表面区域，h的范围为2~5，非边角区域是指距边线hmm宽度范围以外的表面区域。

3.如权利要求2所述的磁体，其特征在于所述磁体在距表面a垂直距离为0.1~0.3mm的深度处，同一深度层的边角区域的平均重稀土含量标记为q1、非边角区域的平均重稀土含量标记为q2；距侧面b垂直距离为0.1~0.3mm之间，且距表面a垂直距离大于0.3mm位置的平均重稀土含量标记为q3，它们之间的关系满足q1＞1.3q3，q1＞1.8q2。

4.如权利要求2所述的磁体，其特征在于所述表面a的边角区域的平均晶粒尺寸和磁体内部中心主相的平均晶粒尺寸分别记为d1和d2，它们的绝对差值d在0...

【专利技术属性】
技术研发人员：王荣杰，陈彪，付松，吴朗靖，叶中秋，马瑜琳，
申请(专利权)人：浙江英洛华磁业有限公司，
类型：发明
国别省市：