温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种用于制造双绝缘体上半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤：‑提供第一供体衬底和处理衬底(1)，‑在第一供体衬底中形成弱化区，以界定待转移的第一半导体层(2b)，‑将第一供体衬底接合到处理衬底(1)，第一电绝缘层(2a)位于界面...
该专利属于索泰克公司所有，仅供学习研究参考，未经过索泰克公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。