用于制造双绝缘体上半导体结构的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于制造双绝缘体上半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤：‑提供第一供体衬底和处理衬底(1)，‑在第一供体衬底中形成弱化区，以界定待转移的第一半导体层(2b)，‑将第一供体衬底接合到处理衬底(1)，第一电绝缘层(2a)位于界面处，并且在弱化区进行分离，‑处理第一转移的半导体层(2b)的表面，其包括以下步骤：(E1)快速热退火，(E2)热氧化随后去氧化，(E3)在非氧化气氛下在高于1000℃的温度下的平滑热处理，(E4)化学机械抛光，‑提供待转移的第二半导体层(3b)的第二供体衬底，‑转移层(3b)，第二电绝缘层(3a)位于界面处。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种用于制造双绝缘体上半导体结构的方法。

技术介绍

1、绝缘体上半导体结构是多层结构，该多层结构包括通常由诸如硅的半导体制成的处理衬底、布置在处理衬底上的电绝缘层(通常是诸如硅氧化物层的氧化物层)以及布置在绝缘层上的半导体层(通常是硅层)。这种结构被称为“绝缘体上半导体”结构，特别是当半导体是硅时被称为“绝缘体上硅”(soi)结构。氧化物层位于衬底与半导体层之间。氧化物层随后被称为“掩埋”，并且被称为“box”(对于“掩埋氧化物”)。在本文的其余部分中，术语“soi”通常将用于指定绝缘体上半导体结构。

2、除了包括一个box层和布置在box层上的一个半导体层的soi结构之外，还产生了“双soi”结构。“双soi”结构包括处理衬底、布置在处理衬底上的第一氧化物层或下掩埋氧化物层、布置在第一氧化物层上的第一半导体层或下半导体层、布置在第一半导体层上的第二氧化物层或上掩埋氧化物层以及布置在第二氧化物层上的第二半导体层或上半导体层。在该双soi结构中，第一氧化物层和第一半导体层构成布置在该结构的下部中的第一soi，而第二氧化物层和第二半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于制造双绝缘体上半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，平滑热处理步骤(E3)是在纯的或混合的氢或氩气氛下在1050℃至1250℃之间的温度下执行几分钟至几小时的长时间热退火。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，热处理步骤(E3)为快速热退火。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，快速热退火步骤(E3)在包括纯的或混合的氢或氩的气氛下在1100℃至1250℃之间的温度下执行几秒钟至约一百秒钟。

5.根据权利要求1至4中的一项所述的方法，其特征在于，快速热退火步骤(E1)在包...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于制造双绝缘体上半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，平滑热处理步骤(e3)是在纯的或混合的氢或氩气氛下在1050℃至1250℃之间的温度下执行几分钟至几小时的长时间热退火。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，热处理步骤(e3)为快速热退火。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，快速热退火步骤(e3)在包括纯的或混合的氢或氩的气氛下在1100℃至1250℃之间的温度下执行几秒钟至约一百秒钟。

5.根据权利要求1至4中的一项所述的方法，其特征在于，快速热退火步骤(e1)在包括纯的或混合的氢或氩的气氛下在1100℃至1250℃之间的温度下执行几秒钟至约一百秒钟。

6.根据权利要求1至5中的一项所述的方法，其特征在于，步骤(e2)的热氧化操作在包括氧气或水蒸气的气氛下在800℃至1100℃之间的温度下进行几分钟至几小时。

7.根据权利要求1至6中的一项所述的方法，其特征在于，步骤(e2)的去氧化操作通过将待处理表面暴露于氢氟酸溶液来进行。

8.根据权利要求1至7中的一项所述的方法，其特征在于，所述处理衬底(1)和各个供体衬底采用直径为300mm的晶片的形式。

9.根据权利要求1至8中的一项所述的方法，其特征在于，所述第一供体衬底中的所述弱化区通过注入氢原子而形成。

10.根据权利要求1至9中的一项所述的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡里纳·杜雷特，卢多维克·埃卡尔诺，C·波特，
申请(专利权)人：索泰克公司，
类型：发明
国别省市：