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本发明公开一种垂直腔面发射半导体芯片和垂直腔面半导体相干光产生装置。所述半导体芯片包括垂直腔面发射半导体增益介质层、位于所述半导体增益介质层一侧的分布式布拉格反射镜以及位于所述半导体增益介质层远离所述反射镜一侧的金刚石盖层，其中，所述半导体...
该专利属于中国科学院理化技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院理化技术研究所授权不得商用。

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