【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及固体激光领域。更具体地，涉及一种垂直腔面发射半导体芯片和垂直腔面半导体相干光产生装置。
技术介绍
1、半导体激光器具有体积小、波长覆盖范围广、易于集成以及成本低等优点，是现在激光技术中最热门的激光光源之一，具有广泛的应用领域。然而，广泛应用的边发射半导体激光器(edge-emitting lasers,eel)为了实现大功率输出，需要芯片上同时存在多个发光点，发光点尺寸较小，通常为50-200μm长、1-3μm宽的矩形，且具有较大的发散角，因而输出光斑为椭圆形，需要整形后才能使用。并且，eel各个发光点输出的光束之间为非相干光，光束质量较差，难以获得高亮度的输出激光。与之相比，垂直腔面发射类型的半导体激光器则可以通过外加光学谐振腔，使得大口径上的发光区域在同一个谐振腔中实现振荡，从而输出大口径、高对称性的相干光束，获得更高的光束质量。
2、但是，垂直外腔发射半导体激光器(vertical external cavity surfaceemission laser,vecsel)虽然可以输出高光束质量光斑，但受限...
【技术保护点】
1.一种垂直腔面发射半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片包括垂直腔面发射半导体增益介质层、位于所述半导体增益介质层一侧的分布式布拉格反射镜以及位于所述半导体增益介质层远离所述反射镜一侧的金刚石盖层，其中，
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射半导体芯片，其特征在于，所述间隙通过刻蚀工艺刻蚀贯穿所述半导体增益介质层形成。
3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射半导体芯片，其特征在于，所述间隙填充有填充物，所述填充物的材料选自金属、金属氧化物或有机物。
4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射半导体芯片，所述金刚石盖层的两侧表面均镀有增透膜
5....
【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片包括垂直腔面发射半导体增益介质层、位于所述半导体增益介质层一侧的分布式布拉格反射镜以及位于所述半导体增益介质层远离所述反射镜一侧的金刚石盖层，其中，
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射半导体芯片，其特征在于，所述间隙通过刻蚀工艺刻蚀贯穿所述半导体增益介质层形成。
3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射半导体芯片，其特征在于，所述间隙填充有填充物，所述填充物的材料选自金属、金属氧化物或有机物。
4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射半导体芯片，所述金刚石盖层的两侧表面均镀有增透膜。
5.根据权利要求1所述的垂直腔面发射半导体芯片，其特征在于，所述金刚石...
【专利技术属性】
技术研发人员：薄勇，宋艳洁，朱铎，胡雨菡，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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