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本申请提供一种半导体分离装置和半导体分离方法，其中，该半导体分离装置包括：顶出装置，位于承载带第一表面一侧，顶出装置包括框架、从框架表面开孔并位于框架内的容置空间以及位于容置空间内的顶出结构，顶出结构用于向承载带施加第一作用力使承载带的第一...
该专利属于武汉新芯集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路股份有限公司授权不得商用。

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