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一种用于Ｐ型硅单晶外延片测量电阻率前的表面热处理工艺，它包括以下步骤：（１）将硅片装入炉腔；（２）以氮气置换系统，抽真空；（３）加热升温至４００－６００℃；（４）恒温，通入氮气、氧气和水蒸气，该水蒸汽以氮气为载气；恒温开始后开启紫外灯，使得...该专利属于北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司授权不得商用。