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本发明提供了一种氧化镓光电探测器及制备方法，涉及光电探测技术领域。该探测器结构由下至上依次包括：衬底、绝缘层、电荷存储层、氧化镓吸光层；漏极和源极设置在氧化镓吸光层的两端；漏极、源极和氧化镓吸光层通过欧姆接触方式，在外加电场的作用下形成回路...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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