氧化镓光电探测器及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种氧化镓光电探测器及制备方法，涉及光电探测技术领域。该探测器结构由下至上依次包括：衬底、绝缘层、电荷存储层、氧化镓吸光层；漏极和源极设置在氧化镓吸光层的两端；漏极、源极和氧化镓吸光层通过欧姆接触方式，在外加电场的作用下形成回路；氧化镓吸光层用于对紫外光产生光响应，生成光生载流子，在回路中形成光电流；电荷存储层，设置在绝缘层与氧化镓吸光层之间的接触界面上，用于在栅极施加正电压的情况下，通过捕获并存储氧化镓吸光层中的自由载流子中的自由电子，以抑制暗电流；其中，暗电流是基于在未被紫外光照射的情况下的氧化镓吸光层中的自由载流子形成的；衬底，设置为栅极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电探测，更具体地，涉及一种氧化镓光电探测器及制备方法。

技术介绍

1、氧化镓材料具有合适的直接带隙和较高的击穿电场强度，使其在高电压、高功率电子器件具有优异的性能，被认为是紫外光/x射线光电探测器的理想候选材料。然而，目前常用的n型氧化镓材料在生长过程中容易引入各种晶格缺陷，造成暗电流较大，影响光电探测器的灵敏度。

2、另外，通常情况下，光电存储器件可以感知并记录光信息，对于图像捕捉、机密信息记录和数据处理的发展至关重要。因此，能够将光信息转化为电信号并进行存储的光电器件，尤其是基于二维材料的光电器件受到了高度关注，但迄今为止，基于二维材料的光存储研究仍局限于可见光谱，因此，亟需一种可以在紫外光波段工作的光存储器件。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供了一种氧化镓光电探测器及制备方法。

2、本专利技术一方面提供了一种氧化镓光电探测器，由下至上依次包括：衬底、绝缘层、电荷存储层、氧化镓吸光层；漏极和源极设置在上述氧化镓吸光层的两端；上述漏极、上述源极和上述氧化镓吸本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氧化镓光电探测器，其特征在于，由下至上依次包括：衬底、绝缘层、电荷存储层、氧化镓吸光层；

2.根据权利要求1所述的一种氧化镓光电探测器，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的一种氧化镓光电探测器，其特征在于：

4.根据权利要求1-3中任一项所述的一种氧化镓光电探测器，其特征在于，所述漏极，与所述电荷存储层欧姆接触。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的一种氧化镓光电探测器，其特征在于，所述源极，与所述电荷存储层欧姆接触。

6.根据权利要求1-3任一项所述的一种氧化镓光电探测器，其特征在于，所述漏极的材料包括以下至少之一：...

【技术特征摘要】

1.一种氧化镓光电探测器，其特征在于，由下至上依次包括：衬底、绝缘层、电荷存储层、氧化镓吸光层；

2.根据权利要求1所述的一种氧化镓光电探测器，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的一种氧化镓光电探测器，其特征在于：

4.根据权利要求1-3中任一项所述的一种氧化镓光电探测器，其特征在于，所述漏极，与所述电荷存储层欧姆接触。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的一种氧化镓光电探测器，其特征在于，所述源极，与所述电荷存储层欧姆接触。

6.根据权利要求1-3任一项所述的一种氧化镓光电探测器，其特征在于，所述漏极的材料包括以下至少之一：ti/au、ti/al/ni/au、cr/au、ag、in、al、pd、ito、ni/au、pt、au、石墨烯。

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【专利技术属性】
技术研发人员：侯小虎，李晨，赵晓龙，龙世兵，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：