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本发明涉及一种超低寄生ＥＳＤ保护器件，其包括：一Ｐ型衬底，所述Ｐ型衬底上形成场氧化层，所述场氧化层上为多晶硅层，所述多晶硅层上的一端为Ｐ＋注入区，另一端为Ｎ＋注入区，中间是本征区，在所述Ｐ＋注入区和Ｎ＋注入区上间隔设置有多个接触孔。因此本发...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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