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本发明公开了一种半导体硅片制造工艺，该工艺包括：（１）在磨削和腐蚀后，将硅片进行双面抛光粗抛，去除量为５～１００微米；（２）在双面粗抛后，进行双面中抛，抛光布的硬度或抛光液颗粒的粒径比粗抛小，抛光去除量为１～１００微米；（３）对双面抛光后的...该专利属于北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司授权不得商用。