半导体硅片制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体硅片制造工艺，该工艺包括：（１）在磨削和腐蚀后，将硅片进行双面抛光粗抛，去除量为５～１００微米；（２）在双面粗抛后，进行双面中抛，抛光布的硬度或抛光液颗粒的粒径比粗抛小，抛光去除量为１～１００微米；（３）对双面抛光后的硅片直接进行单面最终抛光，此步的抛光去除量为小于０．５微米。通过该工艺方法制造硅片，可以获得高平整度的硅片，提高产品的一次收率。本发明专利技术的优点在于提出一种提高硅片表面的几何参数水平的大尺寸硅片制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体硅片制造工艺，尤其是一种改进后的大直径硅片制造工艺来加工硅抛光片，提高加工后硅抛光片表面的几何参数水平的一种工艺方法。
技术介绍
以300mm硅片为基材的芯片线宽已经由90nm发展到65nm及32nm，线宽的不断变 小给硅片厂家提出了越来越高的要求，如在几何参数、颗粒、金属以及纳米形貌。这要求硅 片厂家不断地优化加工工艺，从更微观的方面进行思考硅片加工过程中的各个方面。 尽管90nm与65nm或更小的线宽技术对硅片加工工艺的要求主要都是体 现在硅片表面的几何参数、颗粒参数及纳米形貌上，如GBIR、 SFQR、颗粒和纳米形貌 (Nanotopogr即hy)，但线宽的减小对硅片加工工艺的要求更加严格。为了达到这些要求， 300mm硅片的加工方法将会在很大程度上有别于90nm及以上线宽的加工方法，如引入单片 磨削、提高双面抛光和精抛的设备精度等方法来提高其几何参数。 300mm硅片抛光均采用双面抛光，双面抛光过程中上下两大盘、太阳轮及边缘齿轮 可以独立地运动，硅片自由地悬浮在大盘中间，这样可以大大地改善表面的几何参数。双面 抛光后进行边缘抛光和最后的精密抛光，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体硅片制造工艺，它包括切片、倒角、磨削、抛光，其特征在于：所述的抛光工序包括以下的步骤：（１）将磨削或腐蚀后的硅片用双面抛光机进行粗抛；（２）将硅片进行双面抛光中抛；（３）将硅片进行单面最终抛光，最终抛光为一步精抛，或分两步精抛。

【技术特征摘要】
一种半导体硅片制造工艺，它包括切片、倒角、磨削、抛光，其特征在于所述的抛光工序包括以下的步骤(1)将磨削或腐蚀后的硅片用双面抛光机进行粗抛；(2)将硅片进行双面抛光中抛；(3)将硅片进行单面最终抛光，最终抛光为一步精抛，或分两步精抛。2. 根据权利要求书1所述的半导体硅片制造工艺，其特征在于所述的双面粗抛的去 除量为去除量为5 100微米；3. 根据权利要求书1所述的半导体硅片制造工艺，其特征在于所述的中抛的抛光布 硬度或抛光液颗粒粒径...

【专利技术属性】
技术研发人员：库黎明，闫志瑞，索思卓，陈海滨，盛方毓，
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院，有研半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]