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本发明涉及一种基于半导体层的电荷感应成像方法，１）将光电成像器件的荧光屏换成带衬底的半导体层，在半导体层的衬底背面的真空外侧设置位敏阳极，所述半导体层的方块电阻范围为１００ＭΩ／□～１０００ＭΩ／□；２）光电成像器件的光电变换部分接收测量目...该专利属于中国科学院西安光学精密机械研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院西安光学精密机械研究所授权不得商用。
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本发明涉及一种基于半导体层的电荷感应成像方法，１）将光电成像器件的荧光屏换成带衬底的半导体层，在半导体层的衬底背面的真空外侧设置位敏阳极，所述半导体层的方块电阻范围为１００ＭΩ／□～１０００ＭΩ／□；２）光电成像器件的光电变换部分接收测量目...