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本发明公开了一种具有剪裁的电介质的ＰＦＥＴ及相关方法和集成电路，剪裁的电介质由ＰＦＥＴ中的栅叠层中的ＮＦＥＴ阈值电压（Ｖｔ）功函数调制层部分地组成。在一个实施例中，ＰＦＥＴ包括ｎ－型掺杂的硅阱（Ｎ阱）和栅叠层，该栅叠层包括：Ｎ阱上的掺杂的能...
该专利属于国际商业机器公司;先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司;先进微装置公司授权不得商用。

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