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本发明提供一种集成肖特基二极管的超结SGT器件及其制备方法，包括N型衬底、N型外延层、屏蔽栅沟槽、P型掺杂区、源区、体区、欧姆接触区、隔离介质层，以及欧姆接触金属、肖特基接触金属和底层金属；本发明所提出的结构基于超结SGT结构，在超结结构降...
该专利属于电子科技大学重庆微电子产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学重庆微电子产业技术研究院授权不得商用。

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