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本发明公开了一种沟槽隔离电阻结构及其制作方法。基于沟槽深度与沟槽宽度成比例的特性，在不增加成本的情况下通过当前沟槽隔离工艺来制作沟槽隔离电阻结构，形成的垂直电阻，电阻面积小，能大幅度节约芯片面积，降低芯片成本，且耐高压。...
该专利属于思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司授权不得商用。

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