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本发明公开了一种射频等离子体增强化学气相沉积装置及方法，涉及二维半导体材料制备技术领域，包括CVD炉，CVD炉上贯穿设有石英管，石英管内部含有前驱体，石英管内部放置有生长衬底，还包括：供气系统、等离子激发系统、排气系统、抽气系统和废气收集系...
该专利属于兰州城市学院所有，仅供学习研究参考，未经过兰州城市学院授权不得商用。

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