【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及二维半导体材料制备，具体是一种射频等离子体增强化学气相沉积装置及方法。
技术介绍
1、信息社会的飞速发展对信息存储、加工、传输能力提出了与日俱增的迫切需求，随着“摩尔定律”逐渐逼近极限，半导体工业急需寻求新的解决方案。二维材料因为原子级厚度的尺寸特点，表面无悬挂键的结构优势加上极大比表面积导致的对电、光等调控手段的敏感性被认为是后摩尔定律时代半导体工业新的突破口。
2、化学气相沉积法(cvd)制备二维材料如石墨烯、过渡金属硫化物等。通过cvd技术制备的二维材料具有较高的晶体质量和良好的结构完整性，适用于高性能器件的制备，且制备过程中操作简单，容易实现大规模的工业化生产，降低生产成本，提高经济效益。
3、然而采用传统化学气相沉积法(cvd)制备二维材料时，有些元素在热蒸发状态下活性较低，含该元素的二维材料在化学气相沉积法制备时反应较难进行或效率较低。等离子体增强化学气相沉积制备二维材料具有如下优势：(1)将反应物中的气体、固体分子激活成活性离子，降低反应所需的温度，能够生长常规方法无法制备的二维材料及...
【技术保护点】
1.一种射频等离子体增强化学气相沉积装置，包括CVD炉，所述CVD炉上贯穿设有石英管，所述石英管内部含有前驱体，所述石英管内部放置有生长衬底，其特征在于，还包括：
2.根据权利要求1所述的一种射频等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述石英管长度大于等于1000mm。
3.根据权利要求1所述的一种射频等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述三级过滤设备内包括三级过滤排气，第一级为活性炭过滤，第二级为硅油过滤，第三级碱性溶液过滤，每一级均采用防倒吸设计，洗气或放气过程可实现对石英管中残留有害气体反应物的捕获吸收。
4.根据...
【技术特征摘要】
1.一种射频等离子体增强化学气相沉积装置，包括cvd炉，所述cvd炉上贯穿设有石英管，所述石英管内部含有前驱体，所述石英管内部放置有生长衬底，其特征在于，还包括：
2.根据权利要求1所述的一种射频等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述石英管长度大于等于1000mm。
3.根据权利要求1所述的一种射频等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述三级过滤设备内包括三级过滤排气，第一级为活性炭过滤，第二级为硅油过滤，第三级碱性溶液过滤，每一级均采用防倒吸设计，洗气或放气过程可实现对石英管中残留有害气体反应物的捕获吸收。
4.根据权利要求1所述的一种射频等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述射频电源可...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋锴，龚成师，李永军，张正荣，李积雅，王光毅，李居平，甄小娟，
申请(专利权)人：兰州城市学院，
类型：发明
国别省市：
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