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半导体器件包括硅基衬底、至少一个III‑V缓冲层、至少一个高电子迁移率晶体管(HEMT)和第一导电焊盘。该硅基衬底包括至少一个相互邻接的p掺杂区和至少一个n掺杂区。所述至少一个III‑V缓冲层设置在硅基衬底的p掺杂区上。所述至少一个HEMT...
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