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半导体结构及其制备方法、芯片、电子设备技术
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文档序号:42659198
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本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、芯片、电子设备,涉及半导体技术领域,旨在解决分立的CMOS器件和HEMT器件合封在一起导致芯片体积过大的问题,并且该半导体结构集成CMOS器件和HEMT器件,减少封装键合线,从而减小寄生电感。所述半导...
该专利属于深圳平湖实验室所有,仅供学习研究参考,未经过深圳平湖实验室授权不得商用。
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