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本发明公开了一种存储芯片制备方法及存储芯片结构，应用于存储芯片领域，该方法包括：对待刻蚀结构中的图形传递层的表面刻蚀，形成延伸至待刻蚀结构中的底部电极介质层的通道；刻蚀通道开口处的图形传递层，得到图形传递层拓宽通道；沿图形传递层拓宽通道刻蚀...
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