【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储芯片领域，特别涉及一种存储芯片制备方法及存储芯片结构。
技术介绍
1、存储芯片的内部通常可以划分为用于实现存储功能的存储阵列区以及用于实现逻辑功能和其他功能的逻辑区，对于部分存储芯片，其阵列区结构特征通常体现为在上下两层金属层之间设置存储功能结构，如mram(一种非易失性的磁性随机存储器)，rram(阻变存储器)。以mram为例，目前普遍采用离子束刻蚀的方式对mram存储单元进行刻蚀，应用离子束刻蚀的方式中为保证主刻蚀后清洗充分。mram通过底部电极与下导电层形成互联，刻蚀过程保证充足的过刻蚀和侧壁清洗，如底部电极高度不足够，将会接触到下层的金属连线，造成金属污染，并存在降低可靠性的风险，限制过刻蚀工艺和侧壁清洗工艺。
2、因此，现有技术中采用高深宽比的底部电极，但由于cmp(化学机械抛光)工艺选择比的问题，导致底部电极通孔内金属与周围介质存在明显的高度差，影响器件性能，需要沉积缓冲层金属并平坦化以解决上述问题，但缓冲层面积过大会导致不必要的金属反溅，影响器件的性能，同时沉积缓冲层并进行平坦化处理的工艺复杂...
【技术保护点】
1.一种存储芯片制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储芯片制备方法，其特征在于，所述通道延伸至所述底部电极介质层的深度小于所述底部电极介质层的厚度。
3.根据权利要求2所述的存储芯片制备方法，其特征在于，所述沿所述图形传递层拓宽通道刻蚀所述底部电极介质层中的待拓宽区域，得到延伸至所述底部电路的底部电极通孔结构，包括：
4.根据权利要求2所述的存储芯片制备方法，其特征在于，所述对待刻蚀结构中的图形传递层的表面刻蚀，形成通道，包括：
5.根据权利要求1所述的存储芯片制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述通道开...
【技术特征摘要】
1.一种存储芯片制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储芯片制备方法，其特征在于，所述通道延伸至所述底部电极介质层的深度小于所述底部电极介质层的厚度。
3.根据权利要求2所述的存储芯片制备方法，其特征在于，所述沿所述图形传递层拓宽通道刻蚀所述底部电极介质层中的待拓宽区域，得到延伸至所述底部电路的底部电极通孔结构，包括：
4.根据权利要求2所述的存储芯片制备方法，其特征在于，所述对待刻蚀结构中的图形传递层的表面刻蚀，形成通道，包括：
5.根据权利要求1所述的存储芯片制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述通道开口处的图形传递层，得到图形传递层拓宽通道，包括：
...【专利技术属性】
技术研发人员：于志猛，陈桂霖，于亚荣，何世坤，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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