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一种制造雪崩光电二极管的方法，涉及在雪崩光电二极管层堆叠的上部窗口层中制作凹陷的步骤，使得环绕所述凹陷的壁从凹陷的水平面平滑并逐渐的延伸到窗口层的水平面。进一步，在整个窗口层上扩散掺杂剂，以便在凹陷的底部形成ｐ－ｎ结，以及通过掩埋离子注入法...
该专利属于JDS尤尼弗思公司所有，仅供学习研究参考，未经过JDS尤尼弗思公司授权不得商用。

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