温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及高导热填料技术领域，具体涉及一种高导热核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物填料的制备方法，本发明通过创新性地相分离方法合成出具有核壳结构氮化硼，成功地将偏氟乙烯基共聚物修饰在BN的界面上，增加二维高导热填料在高分子基体当中的相容性；因...
该专利属于昆山兴凯半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山兴凯半导体材料有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。