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本公开涉及具有厚的多晶硅－多晶硅隔离的分裂栅极沟槽功率MOSFET。半导体衬底具有从前表面延伸并包括下部和上部的衬底沟槽。第一绝缘层衬在衬底沟槽上，第一导电材料通过第一绝缘层与半导体衬底绝缘以形成晶体管场板电极。第一绝缘层中的栅极沟槽限定第...
该专利属于意法半导体国际公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体国际公司授权不得商用。

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