【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)器件，并且具体地涉及分裂栅(split-gate)沟槽功率mosfet器件。
技术介绍
1、参考图1，图1示出了分裂栅沟槽功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)器件10的截面的实施例。在该示例中，mosfet器件10是形成在半导体衬底12(例如，硅)中和上的n沟道(nmos)型晶体管，该半导体衬底掺杂有提供晶体管10的漏极区的n型掺杂剂。衬底12具有前侧14和后侧16。多个沟槽18从前侧14沿深度方向延伸到衬底12中。沟槽18在垂直于截面的方向上彼此平行地纵向延伸(即，进入和离开图示的页面)，其中相邻沟槽界定形成条带的晶体管的台面(mesa)区13的侧边缘(此类型的晶体管器件在所属领域中通常称为条带fet型晶体管)。
2、掺杂有p型掺杂剂的区域24被掩埋在衬底12的台面区域13中，其深度从前侧14偏移(即，在下方)，并且被定位成在每个沟槽18的相对侧上平行于前侧14延伸。掺杂区24形成晶体管的体(沟道)区，沟槽18完全穿过掺杂体区24并进入掺杂体区24下...
【技术保护点】
1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在形成所述栅极沟槽之后并且在给所述侧壁加衬之前：
3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在所述栅极沟槽中沉积所述第二导电材料之后：
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第三绝缘层是热氧化物。
5.根据权利要求3所述的方法，还包括在形成所述第三绝缘层之后，在所述第三绝缘层上形成氮化物层。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料由多晶硅制成。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一绝缘层是氧化物，并...
【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在形成所述栅极沟槽之后并且在给所述侧壁加衬之前：
3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在所述栅极沟槽中沉积所述第二导电材料之后：
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第三绝缘层是热氧化物。
5.根据权利要求3所述的方法，还包括在形成所述第三绝缘层之后，在所述第三绝缘层上形成氮化物层。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料由多晶硅制成。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一绝缘层是氧化物，并且所述第二绝缘层是热氧化物。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底提供晶体管的漏极区，所述方法进一步包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一导电材料提供所述晶体管的场板电极，并且所述第二导电材料提供所述晶体管的栅极电极。
10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第三导电材料提供用于所述晶体管的源极接触。
12.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述栅极沟槽包...
【专利技术属性】
技术研发人员：阮文征，严俊荣，V·埃涅亚，
申请(专利权)人：意法半导体国际公司，
类型：发明
国别省市：
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