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本发明公开了一种温度传感器绝缘隔离层的制备方法,涉及电子绝缘材料技术领域,制备方法包括的步骤有:在氧化铝基板上沉积铂电阻层;将铂电阻层刻蚀成所需要的图案;将刻蚀的图案在空气中退火,使图案层致密;进行激光调阻;配制绝缘隔离层浆液,采用浸渍提拉...该专利属于成都能斯特新材料科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都能斯特新材料科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种温度传感器绝缘隔离层的制备方法,涉及电子绝缘材料技术领域,制备方法包括的步骤有:在氧化铝基板上沉积铂电阻层;将铂电阻层刻蚀成所需要的图案;将刻蚀的图案在空气中退火,使图案层致密;进行激光调阻;配制绝缘隔离层浆液,采用浸渍提拉...