【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及绝缘材料，具体涉及一种温度传感器绝缘隔离层的制备方法。
技术介绍
1、在温度传感器中，设置隔离层以防止电阻层中毒污染是众所周知的，例如，在温度传感器的铂图案上使用pvd或者厚膜方法来涂覆绝缘隔离层，但是，以这种方式涂覆的钝化层并不能完全阻止毒性污染。
2、在pvd方法中，将绝缘隔离材料，尤其是氧化铝材料（al2o3）转化成气相，然后在电阻图案的表明冷凝为膜，采用这种方式，不仅材料的相状态是缺点，而且涂层也会发生取向生长。例如，所使用的氧化铝是以γ相存在，γ相在升温过程中转化成稳定的α相，γ相向α相转变可发生约8%的体积收缩，同时由于涂层是径向的取向生长，会加剧此类体积收缩在所涂覆的绝缘隔离中产生裂纹，尤其是图案的线条与沟槽连接处容易开裂。
3、在厚膜丝网印刷方法中，包含氧化铝的浆料被印刷在电阻图案的表面上，通过排胶过程之后，在1000℃至1500℃的温度下烧结氧化铝，即使通过调配粒子的尺寸以达成高固含量高密度的浆料，氧化铝涂层在烧结后仍含有孔隙和缺陷。
4、为了密封通过上述方法而制造的绝...
【技术保护点】
1.一种温度传感器绝缘隔离层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种温度传感器绝缘隔离层的制备方法，其特征在于，浸渍提拉涂覆绝缘隔离层浆液时的提拉速度为50μm/s ~5000μm/s。
3.根据权利要求1所述的一种温度传感器绝缘隔离层的制备方法，其特征在于，浸渍提拉的次数至少为一次；在需要多次浸渍提拉时，上一次浸渍提拉之后需要完全烘干后才能进行下一次浸渍提拉。
4.根据权利要求3所述的一种温度传感器绝缘隔离层的制备方法，其特征在于，烘干的温度为75℃~300℃。
5.根据权利要求3所述的一种...
【技术特征摘要】
1.一种温度传感器绝缘隔离层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种温度传感器绝缘隔离层的制备方法，其特征在于，浸渍提拉涂覆绝缘隔离层浆液时的提拉速度为50μm/s ~5000μm/s。
3.根据权利要求1所述的一种温度传感器绝缘隔离层的制备方法，其特征在于，浸渍提拉的次数至少为一次；在需要多次浸渍提拉时，上一次浸渍提拉之后需要完全烘干后才能进行下一次浸渍提拉。
4.根据权利要求3所述的一种温度传感器绝缘隔离层的制备方法，其特征在于，烘干的温度为75℃~300℃。
5.根据权利要求3所述的一种温度传感器绝缘隔离层的制备方法，其特征在于，烘干的时间为10min~2h。
6.根据权利要求1所述的一种温度传感器绝缘隔离层的制备方法，其特征在于，在空气中烧结的温度为1000℃~...
【专利技术属性】
技术研发人员：高志禧，雷运清，彭琛，张强，
申请(专利权)人：成都能斯特新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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