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本发明公开一种以高氧含量硅粉为原料制备低氧含量高α相氮化硅粉体的方法，原料配方包括高氧含量硅粉、氮化硅粉稀释剂和氧含量调控剂，原料经过称重、混匀后，通过燃烧合成法制备氮化硅粉体，所使用高氧含量硅粉原料的氧含量为2％‑8％，粒径范围1μm‑5...
该专利属于天津理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津理工大学授权不得商用。

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