【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及陶瓷粉体材料领域，具体涉及一种低氧含量高α相氮化硅粉的制备方法。
技术介绍
1、随着集成电路领域的发展，电路的集成度和集成功率呈指数级提高，对封装芯片基板的抗弯强度、稳定性和散热能力的要求也随之提高。氮化硅陶瓷基板具有高强度、高硬度、高热导率以及优异的介电性能等一系列特点，通过对其理论计算发现，在a轴和c轴方向上的热导率有着取向性，其中α相氮化硅单晶沿a轴的热导率为105w/(m·k)、沿c轴的热导率为225w/(m·k)，β相氮化硅单晶沿a轴的热导率为170w/(m·k)、沿c轴的热导率为450w/(m·k)，并且还有着优异的抗热冲击性能、与硅相近的热膨胀系数(3.0×10-6k-1)等优点，因此氮化硅被视为制备高热导率基板的理想材料。对于制备抗弯强度大且热导率高的氮化硅陶瓷基板，氮化硅粉体材料不仅要求纯度高，还要满足低氧、高α相等指标。因为这些指标都会直接决定基板中的杂质、缺陷(气孔、晶格氧)以及晶界尺寸，从而进一步影响到陶瓷基板的热导率和强韧性。
2、已有专利(cn 114409414 a)公开了一种以高氧含量硅粉为原料制备高纯氮化硅粉体的方法。该方法采用燃烧合成法或硅粉氮化工艺制备，成功制备了氧含量在2％以下的氮化硅粉体，需要明确的是，使用燃烧合成方法制备氮化硅粉时，不仅反应压力较大(6mpa)，制备成本较高，而且使用了大量的(6％-15％)有毒污染环境的卤化氨添加剂，对环境和制备成本带来压力；使用硅粉氮化工艺制备氮化硅粉时，升温速率慢、保温时间长(48h)，导致制备周期大幅提高，制备成本居高不
技术实现思路
1、本专利技术公布一种低氧含量高α相氮化硅粉的制备方法，以低成本、高氧含量的光伏废硅粉为原料，通过燃烧合成的方法，以微量三聚氰胺作为氧含量调控剂，制备出了低氧含量高α相氮化硅粉，降低了生产成本，解决了高α相氮化硅粉氧含量高的问题。
2、一种低氧含量高α相氮化硅粉体的制备方法，包括以下步骤：将高氧含量的光伏废硅粉、氮化硅粉稀释剂和氧含量调控剂三聚氰胺按一定比例称量、混匀后，将其松散的放置在模具中，在氮气气氛下，通过引燃钛粉的方式启动燃烧合成反应，反应结束后即可得到低氧含量高α相氮化硅粉。
3、所述硅粉和氮化硅粉稀释剂质量百分比为：硅粉36.75％-46.88％，氮化硅粉稀释剂51.94％-62.34％，氧含量调控剂三聚氰胺添的质量百分比为0.25％-2％，且所有原料质量之和为100％。
4、所述高氧含量光伏废硅粉的粒径为1μm-5μm。
5、所述反应气氛为氮气，氮气压力为2mpa-4mpa。
6、所述氮化硅粉稀释剂的氧含量为0.8％-1％，α相含量为91％-95％。
7、本专利技术以低成本、高氧含量的光伏废硅作为原料，以氮化硅粉作为稀释剂，以三聚氰胺作为氧含量调控剂，燃烧合成得到低氧含量高α相氮化硅粉，通过对组分比例和压力的调控，大幅降低了燃烧速率和最大反应温度，抑制α相氮化硅在高温下转化为β相氮化硅，通过对三聚氰胺的调控，三聚氰胺热分解产生的一氧化碳等产物，促使原料光伏废硅中的氧杂质在反应过程下转化为气相挥发，降低了产物中的氧含量，并且增加了气相一氧化硅，提高了α相含量。在降低生产成本和缩短制备周期的同时，将氮化硅的氧含量降低到1％以下，α相提高到90％以上。
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1.以高氧含量光伏废硅粉为原料，通过燃烧合成方法制备低氧含量高α相氮化硅粉体的方法，其特征在于，原料配方包括高氧含量硅粉、氮化硅粉稀释剂和氧含量调控剂，原料经过称重、混匀后，通过燃烧合成法制备氮化硅粉体，所使用高氧含量硅粉原料的氧含量为2％-8％，使用的氧含量调控剂为三聚氰胺，该方法获得的氮化硅粉体中氧含量在1％以下，α相含量在90％以上。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述硅粉和氮化硅粉稀释剂质量百分比为：硅粉36.75％-46.88％，氮化硅粉稀释剂51.94％-62.34％，氧含量调控剂三聚氰胺添的质量百分比为0.25％-2％，且所有原料质量之和为100％。
3.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述硅粉的粒径范围为1μm-5μm。
4.根据权利要求1的方法，其特征在于，反应气氛为氮气，氮气压力为2MPa-4MPa。
5.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述氮化硅粉稀释剂的氧含量为0.8％-1％，α相含量为91％-95％。
【技术特征摘要】
1.以高氧含量光伏废硅粉为原料，通过燃烧合成方法制备低氧含量高α相氮化硅粉体的方法，其特征在于，原料配方包括高氧含量硅粉、氮化硅粉稀释剂和氧含量调控剂，原料经过称重、混匀后，通过燃烧合成法制备氮化硅粉体，所使用高氧含量硅粉原料的氧含量为2％-8％，使用的氧含量调控剂为三聚氰胺，该方法获得的氮化硅粉体中氧含量在1％以下，α相含量在90％以上。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述硅粉和氮化硅粉稀释剂质量百分比为：硅粉36.75％-...
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