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本发明涉及一种硅压阻式压力传感器的灵敏度温度补偿结构，硅压阻式压力传感器芯片由R1、R2、R3与R4四个压敏电阻构成的电桥组成，在桥臂电阻R2上并联一个低温漂系数电阻Ra、以及在另一个不相连的桥臂R3上串联低温漂系数电阻Rb，在电桥的输出端...
该专利属于华东光电集成器件研究所所有，仅供学习研究参考，未经过华东光电集成器件研究所授权不得商用。

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