【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种硅压阻式压力传感器温度补偿技术，特别涉及一种硅压阻式压力传感器的灵敏度温度补偿结构。
技术介绍
1、压力传感器是工业实践中最为常用的一种传感器，其广泛应用于各种工业自控环境，涉及水利水电、铁路交通、智能建筑、生产自控、石化、油井、电力、船舶、机床、管道等众多行业。
2、在高低温测试环境中，硅压阻式压力传感器敏感芯片的压敏电阻具有正温度系数，压敏电阻的阻值会随着测试温度的升高而增大；且芯片在实际加工时无法做到灵敏度温度系数为零，要么为正系数要么为负系数。导致的结果就是压力传感器敏感芯片的电桥输出零点和灵敏度都会随着温度的变化而产生漂移，从而影响压力传感器的测量精度。
3、现有技术对硅压阻式压力传感器的温度补偿方式一般采用硬件补偿和软件补偿两种方式，其中硬件补偿方法的激励方式分为恒流激励和恒压激励两种，对于灵敏度温度系数为正的情况一般采用恒流源激励，在桥阻上并联电阻rc的方式进行灵敏度温度补偿(图1)；对于灵敏度温度系数为负的情况一般采用恒压源激励，在桥阻上串联电阻rc方式进行灵敏度温度补偿(图2)，然而这种硬件补偿方法的补偿量小且效果差。
技术实现思路
1、本专利技术的目的就是为了解决现有技术中的补偿方法存在的补偿量小且效果差的问题，提供了一种硅压阻式压力传感器的温度补偿方法，包括零点、零点温度漂移补偿和灵敏度温度漂移补偿，该补偿方法结构简单，补偿效果显著且传感器输出损耗小。
2、本专利技术解决其技术问题所采用的思路是：
<...【技术保护点】
1.一种硅压阻式压力传感器的灵敏度温度补偿结构，硅压阻式压力传感器芯片包括R1、R2、R3与R4四个压敏电阻构成的电桥，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种硅压阻式压力传感器的灵敏度温度补偿结构，其特征在于：
3.根据权利要求1或2所述的一种硅压阻式压力传感器的灵敏度温度补偿结构，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种硅压阻式压力传感器的灵敏度温度补偿结构，硅压阻式压力传感器芯片包括r1、r2、r3与r4四个压敏电阻构成的电桥，其特征在于：
2.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴照川，王鹏，曹卫达，王文婧，张宏昆，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：
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