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本公开的各个实施例针对包括衬底上方的底部电极的集成芯片。顶部电极位于底部电极上面。覆盖结构设置在顶部电极和底部电极之间。覆盖结构包括与金属层垂直堆叠的扩散阻挡层。切换结构设置在底部电极和覆盖结构之间。切换结构包括底部电极上的介电层以及介电层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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