温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种抗雪崩平面超结MOSFET及其制备方法、芯片，通过在第一P型基区与第一N型源区之间设置凹形的第一介质层，在第二P型基区与第二N型源区之间设置凹形的第二介质层，并且第一N型源区和第二N型源区为T型结构，第...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。